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晶体二极管的特性和参数

作者:仰光电子      发布时间:2012-1-4


晶体二极管—特性和参数
 
 
一、二极管的特性
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示:
1、正向特性
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。
2、反向特性
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。
3、击穿特性
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。
4、频率特性
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。
二、二极管的简易测试方法
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表
表 二极管简易测试方法
项目
 正向电阻
 反向电阻
测试方法
测试情况
 硅管:表针指示位置在中间或中间偏右一点;
锗管:表针指示在右端靠近满刻度的地方(如图所示)表明管子正向特性是好的。 如果表针在左端不动,则管子内部已经断路
 硅管:表针在左端基本不动,极靠近OO位置,
锗管:表针从左端起动一点,但不应超过满刻度的1/4(如上图所示),则表明反向特性是好的, 如果表针指在0位,则管子内部已短路
三、二极管的主要参数
1、正向电流IF
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。
2、正向电压降VF
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。
3、最大整流电流(平均值)IOM
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。
4、反向击穿电压VB
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
5、正向反向峰值电压VRM
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
6、反向电流IR
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值
7、结电容C
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。
8、最高工作频率fm
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。